在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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他預測2026年可能成為中國AI普及的轉捩點——不僅是聊天機器人，還包括處理交易的AI代理、融入日常工作的編碼工具，以及常規使用AI的影片創作者。
庞若鸣在七个月前的离职，虽然不至于让苹果的技术大厦倾塌，但确实在一定程度上干扰了其自主研发的节奏。
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